Тензоэлектрические приборы полупроводниковые

Полупроводниковые тензоэлектрические приборы (которые еще сокращенно именуются тензоприборы) предназначены для процедуры измерения показателей давления и деформации.

Тензорезисторы сделаны на основании тензорезистивного эффекта, который заключен в том, что сопротивление полупроводникового устройства определяется давлением на полупроводник. В качестве материала для тензорезистора зачастую служит кремниевый камень, но пользуются также и другими полупроводниками.

Показатели тензоприборов

К главным параметрам тензорезисторов относят показатели номинального сопротивления (от нескольких десятков ом до нескольких десятков килоом).

Показатели сопротивления при отсутствии давления, и показатели коэффициента тензочувствительности равняются отношению показателей относительного изменения сопротивления к показателям относительного изменения длины тензорезистора.

Данный коэффициент определяется веществом полупроводника, вроде электрической проводимости, удельного сопротивления и дирекции деформации. У полупроводников показатели коэффициента тензочувствительности являются отрицательными, и при возрастании показателей давления сопротивление значительно уменьшается.

Главное преимущество в полупроводниковых диодах заключается в их способности полноценно работать в условиях низкого напряжения, которое может составлять всего несколько вольт. Однако существуют и существенные недостатки, такие как зависимость от температурных воздействий и электрических колебаний. Также они обладают достаточно небольшой мощностью, в сравнении с высоковольтными.

Замена неработающих диодов должна проводится с учетом их особенностей и при соблюдении ряда требований. Таким образом, нельзя нарушать герметичность корпусов приборов, обеспечить качественную конвекцию воздуха и прочее.